I Membri convengono di accordare protezione alle topografie di prodotti a semiconduttori (in appresso «topografie») conformemente agli articoli da 2 a 7 (escluso l’art. 6, par. 3), all’articolo 12 e all’articolo 16, paragrafo 3 del Trattato sulla proprietà intellettuale in materia di semiconduttori e di conformarsi alle disposizioni sottoindicate.
Die Mitglieder vereinbaren, den Schutz der Layout-Designs (Topographien) integrierter Schaltkreise (im folgenden «Layout-Designs» genannt) nach den Artikeln 2–7 (mit Ausnahme von Artikel 6 Absatz 3), 12 und 16 Absatz 3 des Vertrags über den Schutz des geistigen Eigentums an integrierten Schaltkreisen zu gewähren und darüber hinaus die nachstehenden Bestimmungen einzuhalten.
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